13286885940 (王先生)
13262995105（吳先生）
13916985299 (姚小姐）
TH521-35-1800半導體參數分析儀簡介：
TH521-35-1800半導體參數分析儀是一款用于電路設計的綜合解決方案，可幫助電力電子電路設計人員選擇適合自身應用的功率器件，讓其電力電子產品發揮*大價值。它可以評測器件在不同工作條件下的所有相關參數，包括IV參數（擊穿電壓和導通電阻）、三端FET電容、柵極電荷和功率損耗。用于電路設計的TH521系列半導體參數分析儀具有完整的曲線追蹤儀功能以及其他功能。
TH521系列半導體參數分析儀特性：
TH521 的常規特性
? 高達 3.5kV/1800A的寬廣工作范圍
? 從 -50 °C 到 +250 °C 的全自動快速熱測試
? 自動創建功率器件（半導體和元器件）的技術資料
? 自動記錄功能可防止數據丟失
? AI輔助編寫python測試腳本
TH521 IV 套件特性
? 可對封裝和晶圓上器件進行全自動快速 IV 測量 （Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等）
? 窄 IV 脈沖寬度（*窄 10 μs）可防止器件自發熱，更準確地測試器件實 際性能
? 示波器視圖（時域視圖）可以監測實際電壓/電流脈沖波形，以便進行準 確測量
? 配置可以靈活擴展，添加 CV 和 Qg，將電流范圍從20 A擴展到 200A、 600 A 或1800 A
TH521 套件的完整特性
? IV 套件的全部特性
? 測量封裝器件在 3.5 kV 時的晶體管輸入、輸出和反向傳輸電容
（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）以及柵極電阻（Rg）
? 測量封裝器件的柵極電荷（Qg）曲線
? 計算功率損耗（傳導、驅動和開關損耗）
TH521系列半導體參數分析儀技術參數：
MCSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程
輸出/測量分辨率
輸出/測量精度（% + mV + mV）
*大電流
200mV
100nV
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)
1A
2V
1μV
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)
20V
10μV
±(0.06 + 3 + Io x 5)
40V
40μV
±(0.06 + 3 + Io x 10)
電流范圍、分辨率和精度
輸出/測量精度（%+A+A）
*高電壓
10μA
10pA
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)
30V
100μA
100pA
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)
1mA
1nA
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)
10mA
10nA
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)
100mA
100nA
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)
1uA
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)
典型分辨率
6?位
*大電壓
±30V
*小電流
脈沖*大占空比
5%（峰值超過100mA時）
脈沖*小寬度
10μs
脈沖*大寬度
100ms（峰值超過100mA時）
直流*大電流
±100mA
脈沖*大峰值
±1A
脈沖*大基值
±50mA（峰值超過100mA時）
HCSMU
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05)
20A
1μA
20μA
±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4)
±40V
1%（峰值超過1A時）
50μs
1ms（峰值超過1A時）
±20A
±100mA（峰值超過1A時）
MPSMU
100mV
1V
10V
100V
100μV
±(0.012 + 2.5 + Io x 10)
20mA(≥40V)
50mA(≤40V)
1fA
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15)
10fA
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)
100fA
±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13)
1pA
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)
±100V
HVSMU
輸出/測量精度±(%+mV)
200V
200uV
±(0.03+40)
500V
500uV
±(0.03+100)
1500V
1.5mV
±(0.03+300)
3500V
3.5mV
±(0.03+600)
5mA
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12)
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12)
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11)
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9)
1750V
±3500V
UHCU
60V
±(0.2+10)
200A
200μA
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
600A
500μA
1800A
2mA
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)
0.4%（600A量程）；0.1%（1800A量程）
1ms（600A量程）；500μs（1800A量程）
200A、600A、1800A量程
MFCMU
頻率
頻率范圍
1kHz~10MHz
*小頻率分辨率
1mHz
頻率精度
±0.05%
AC電平
電平范圍
0~250mV
分辨率
0.1mVrms
精度
±(10%*設定值+2mV)
DC偏置
范圍
0~±25V
1mV
準確度
1%*設定電壓+8mV
輸出阻抗
100Ω
測試端配置
四端對
測試時間
快速2.5ms中速90ms慢速220ms
電容
顯示范圍
0.00001pF~9.99999F
*高準確度
0.05%
TH521系列半導體參數分析儀選型表：
TH521-35-20
IV: 3500V/20A
TH521-35-20C
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-200
IV: 3500V/200A
TH521-35-200C
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-600
IV: 3500V/600A
TH521-35-600C
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-1800
IV: 3500V/1800A
TH521-35-1800C
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-1800半導體參數分析儀應用：
? 半導體功率器件
二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光電子芯片等寄生電容測試、C-V特性分析
? 半導體材料
晶圓切割、C-V特性分析
? 液晶材料
彈性常數分析、液晶切割
? 電容元件
電容器C-V特性測試及分析，電容式傳感器測試分析
滬公網安備 31010102004821號
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